RN1416,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=1MHz
Вес и габариты
длина2.9 mm
Высота 1.1 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
44
+
Бонус: 0.88 !
Бонусная программа
Итого: 44
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=1MHz
Вес и габариты
длина2.9 mm
Высота 1.1 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки3000
серияRN1416
типичное входное сопротивление4.7 kOhms
типичный коэффициент деления резистора0.47
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаToshiba
ТипNPN Epitaxial Silicon Transistor
упаковка / блокTO-236MOD
вес, г0.012
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль