RN1415(TE85L,F), RN1415(TE85L,F) NPN Digital Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin SMini

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: RN1415(TE85L,F)
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1415(TE85L,F), RN1415(TE85L,F) NPN Digital ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
97
+
Бонус: 1.94 !
Бонусная программа
Итого: 97
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base-emitter resistor10kΩ
base product numberTLP3052 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current100 mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating temperature+150 °C
minimum dc current gain50
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSMini
партномер8014468671
pin count3
power - max200mW
resistor - base (r1)2.2 kOhms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageS-Mini
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typical input resistor2.2 kΩ
typical resistor ratio0.22
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:51:25
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль