RN1306,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz
Вес и габариты
длина2 mm
Высота 0.9 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
45
+
Бонус: 0.9 !
Бонусная программа
Итого: 45
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz
Вес и габариты
длина2 mm
Высота 0.9 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияSingle
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
pd - рассеивание мощности100 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки3000
серияRN1306
типичное входное сопротивление4.7 kOhms
типичный коэффициент деления резистора0.1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаToshiba
ТипNPN Epitaxial Silicon Transistor
упаковка / блокSC-70
вес, г0.028
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.25 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль