RN1305,LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1305,LF
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
84
+
Бонус: 1.68 !
Бонусная программа
Итого: 84
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 МГц 100 мВт Поверхностный монтаж USM
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTLBD1100 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
партномер8007270889
power - max100mW
resistor - base (r1)2.2 kOhms
resistor - emitter base (r2)47 kOhms
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageUSM
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:52:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль