RN1112ACT(TPL3)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1112ACT(TPL3)
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 80 мА 100 мВт поверхностный монтаж CST3
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTCKE805 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)80mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 1mA, 5V
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-101, SOT-883
партномер8007073425
power - max100mW
resistor - base (r1)22 kOhms
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageCST3
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic150mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:50:56
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль