RN1112(TE85L,F)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1112(TE85L,F)
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
65
+
Бонус: 1.3 !
Бонусная программа
Итого: 65
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 МГц 100 мВт SSM для поверхностного монтажа
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTPH1R204 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 1mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-75, SOT-416
партномер8006681394
power - max100mW
resistor - base (r1)22 kOhms
supplier device packageSSM
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:50:58
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль