RN1108MFV,L3F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba RN1108MFV,L3F
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
39
+
Бонус: 0.78 !
Бонусная программа
Итого: 39
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 150 мВт Поверхностный монтаж VESM
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTB67S142 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-723
партномер8006563463
power - max150mW
resistor - base (r1)22 kOhms
resistor - emitter base (r2)47 kOhms
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageVESM
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 500ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки23:51:01
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль