QSZ4TR, Bipolar Transistors - BJT ISO TRANSISTORDIODE GEN PURP
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:QSZ4TR
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT ISO TRANSISTORDIODE GEN PURP
Дата загрузки
19.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
Rohm
Бренд
Rohm
Основные
другие названия товара №
QSZ4
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
680
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
270
конфигурация
Dual
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
2 A
напряжение коллектор-база (vcbo)
30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
30 V
партномер
8006256910
pd - рассеивание мощности
500 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
280 MHz
размер фабричной упаковки
3000
серия
QSZ4
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
ROHM Semiconductor
упаковка / блок
SOT-25-5
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
1:45:16
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26