PZT3904T1G, Bipolar Transistors - BJT 0.2A 40V 1.5W NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PZT3904T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor PZT3904T1G, Bipolar Transistors - BJT 0.2A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.57 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 0.2A 40V 1.5W NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.57 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage0.3 V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationSingle Dual Collector
continuous collector current0.2 A
dc collector/base gain hfe min40
длина6.5 mm
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo6 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft300 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.2 A
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)0.85 1mA 10mA|0.95 5mA 50mA
maximum collector base voltage60 V
maximum collector base voltage (v)60
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.2 1mA 10mA|0.3 5mA 50mA
maximum collector emitter voltage40 V
maximum collector-emitter voltage (v)40
maximum dc collector current0.2 A
maximum dc collector current (a)0.2
maximum emitter base voltage6 V
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation1.5 W
maximum power dissipation (mw)1500
maximum transition frequency (mhz)300(Min)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
непрерывный коллекторный ток0.2 A
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
package / caseSOT-223-4
package typeSOT-223(SC-73)
packagingTape and Reel
партномер8006236151
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation1.5 W
pd - рассеивание мощности1.5 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
ppapNo
product categoryBipolar Power
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки1000
seriesPZT3904
серияPZT3904
standard package nameSOT
subcategoryTransistors
supplier packageSOT-223
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:10:43
Ширина3.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль