PZT2222AT1G, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PZT2222AT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor PZT2222AT1G, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
20
+
Бонус: 0.4 !
Бонусная программа
Итого: 20
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeThe PZT2222AT1G is a NPN Silicon Planar Epitaxial Transistor designed for use in linear and switching and medium power surface mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die. This transistor is PPAP capable and AEC-Q101 qualified. The SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction and allows visual inspection of soldered joints. • Halogen-free
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
частота перехода ft300МГц
collector emitter voltage max40В
configurationSingle Dual Collector
continuous collector current600мА
dc current gain hfe min35hFE
dc усиление тока hfe35hFE
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов4вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура150 C
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)2@50mA@500mA|1.2@15mA@150mA
maximum collector base voltage75 V
maximum collector base voltage (v)75
maximum collector cut-off current (na)10
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA
maximum collector emitter voltage40 V
maximum collector-emitter voltage (v)40
maximum dc collector current600 mA
maximum dc collector current (a)0.6
maximum emitter base voltage6 V
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating frequency300 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation1.5 W
maximum power dissipation (mw)1500
maximum transition frequency (mhz)300(Min)
militaryNo
minimum dc current gain50@1mA@10V|35@0.1mA@10V|70@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150mA@1V|40@500mA@10V
minimum operating temperature (°c)-55
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package height1.57
package length06.05.2024
package typeSOT-223(SC-73)
package width03.05.2024
packagingTape and Reel
партномер8003192577
part statusActive
pcb changed3
pin count4
полярность транзистораNPN
power dissipation1.5Вт
product categoryBipolar Power
standard package nameSOT-223
стиль корпуса транзистораSOT-223
supplier packageSOT-223
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки0:15:11
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль