PUMT1,115, 100nA 40V 300mW 120@1mA,6V 100mA 100MHz 200mV@50mA,5mA 2PCSPNP +150°C@(Tj) SOT-363 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PUMT1,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PUMT1,115, 100nA 40V 300mW 120@1mA,6V 100mA ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
29
+
Бонус: 0.58 !
Бонусная программа
Итого: 29
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзисторный массив 2 PNP (двойной) 40 В 100 мА 100 МГц 300 мВт Поверхностный монтаж 6-TSSOP
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPUMT1 ->
collector-emitter breakdown voltage40V
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 1mA, 6V
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current100mA
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
партномер8017625544
pd - power dissipation300mW
power - max300mW
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device package6-TSSOP
transistor type2 PNP (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic200mV @ 5mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки14:23:51
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль