PUMH20,115, Package/Enclosure SOT363

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PUMH20,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PUMH20,115, Package/Enclosure SOT363
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
12
+
Бонус: 0.24 !
Бонусная программа
Итого: 12
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 300 мВт Поверхностный монтаж 6-TSSOP
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPUMH20 ->
collector-emitter breakdown voltage50V
current - collector cutoff (max)1ВµA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 20mA, 5V
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum dc collector current100mA
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
партномер8003789136
pd - power dissipation300mW
power - max300mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)2.2kOhms
resistor - emitter base (r2)2.2kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device package6-TSSOP
transistor type2 NPN pre-biased (double)
vce saturation (max) @ ib, ic150mV @ 500ВµA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки14:22:29
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль