PUMD6,115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRNS DOUBL RET TAPE7
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage50V
длина2.2 mm
другие названия товара №PUMD6 T/R
71
+
Бонус: 1.42 !
Бонусная программа
Итого: 71
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRNS DOUBL RET TAPE7
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage50V
длина2.2 mm
другие названия товара №PUMD6 T/R
Высота 1 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum dc collector current100mA
минимальная рабочая температура65 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
pd - power dissipation300mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
размер фабричной упаковки3000
типичное входное сопротивление4.7 kOhms
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаNexperia
transistor type1 NPNпјЊ1 PNP - Pre-Biased(Dual)
упаковка / блокSOT-363-6
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль