PUMD12,115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PUMD12,115
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
82
+
Бонус: 1.64 !
Бонусная программа
Итого: 82
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 230 МГц, 180 МГц 300 мВт Поверхностный монтаж 6-TSSOP
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base-emitter resistor47kΩ
base product numberPUMD12 ->
current - collector cutoff (max)1ВµA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 5mA, 5V
длина2.2 mm
другие названия товара №9,34055E+11
eccnEAR99
frequency - transition230MHz, 180MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.80
количество каналов2 Channel
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum collector emitter voltage50 V
maximum dc collector current100 mA
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation300 mW
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)10 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
number of elements per chip2
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package typeSOT-363
партномер8005973458
pd - рассеивание мощности200 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
pin count6
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
power - max300mW
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)47kOhms
resistor - emitter base (r2)47kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device package6-TSSOP
типичное входное сопротивление47 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаNexperia
transistor configurationDual
transistor type1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
typical input resistor47 kΩ
typical resistor ratio1
упаковка / блокTSSOP-6
vce saturation (max) @ ib, ic150mV @ 500ВµA, 10mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки15:09:04
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль