Name: PSMN017-60YS.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 44А, 74Вт, SOT669
Brand: Nexperia B.V.
SKU: PSMN017-60YS,115

PSMN017-60YS.115, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 44А, 74Вт, SOT669

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PSMN017-60YS.115, Транзистор N-MOSFET ...

Подробное описание

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.13
Информация о производителе
Производитель	Nexperia B.V.
Бренд	Nexperia B.V.

Все характеристики

240 ₽

– +

Бонус: 4.8 !

Бонусная программа

Итого: 240 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

PSMN N-Channel MOSFETs Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment.

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.13
Информация о производителе
Производитель	Nexperia B.V.
Бренд	Nexperia B.V.
Основные
channel mode	Enhancement
channel mode:	Enhancement
channel type	N
factory pack quantity: factory pack quantity:	1500
id - continuous drain current:	31 A
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Nexperia
maximum continuous drain current	44 A
maximum drain source resistance	25 mΩ
maximum drain source voltage	60 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
maximum gate threshold voltage	4V
maximum operating temperature	+175 °C
maximum operating temperature:	+175 C
maximum power dissipation	74 W
minimum gate threshold voltage	2V
minimum operating temperature	-55 °C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
number of channels:	1 Channel
number of elements per chip	1
package / case:	SOT-669-5
package type	LFPAK, SOT-669
партномер	8002521178
part # aliases:	9,34064E+11
pd - power dissipation:	74 W
pin count	4
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
qg - gate charge:	20 nC
rds on - drain-source resistance:	24.7 mOhms
subcategory:	MOSFETs
technology:	Si
transistor configuration	Single
transistor material	Si
transistor polarity:	N-Channel
typical gate charge @ vgs	20 nC @ 10 V
vds - drain-source breakdown voltage:	54 V
vgs - gate-source voltage:	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	4 V
Время загрузки	1:09:38
width	4.1mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Nexperia B.V.115 Транзисторы биполярные (BJTs)PSMN017-60YS