PRMH2Z

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 230 МГц 480 мВт Поверхностный монтаж DFN1412-6
Вес и габариты
base product numberPRMH2 ->
current - collector cutoff (max)1ВµA
current - collector (ic) (max)100mA
87
+
Бонус: 1.74 !
Бонусная программа
Итого: 87
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 230 МГц 480 мВт Поверхностный монтаж DFN1412-6
Вес и габариты
base product numberPRMH2 ->
current - collector cutoff (max)1ВµA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 5mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition230MHz
htsus8541.21.0075
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-XFDFN Exposed Pad
power - max480mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)47kOhms
resistor - emitter base (r2)47kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageDFN1412-6
transistor type2 NPN - Pre-Biased (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic150mV @ 500ВµA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль