PN5133 TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT NPN LOW NOISE 20V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PN5133 TIN/LEAD
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central PN5133 TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.21
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:20 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:18 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:3 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:40 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:10 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
packaging:Bulk
партномер8005050244
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:22:58
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль