PN2907BU, Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PN2907BU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor PN2907BU, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.18
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.18
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:1.6 V
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:0.8 A
dc current gain hfe max:300
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:800 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
package/case:TO-92-3
packaging:Bulk
партномер8004674170
pd - power dissipation:625 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:PN2907
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки2:10:14
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль