PMST5551,115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS HV TAPE-7
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage160V
длина2.2 mm
другие названия товара №934051560115
41
+
Бонус: 0.82 !
Бонусная программа
Итого: 41
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS HV TAPE-7
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage160V
длина2.2 mm
другие названия товара №934051560115
Высота 1 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.80 at 1 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора600 mA
maximum dc collector current300mA
минимальная рабочая температура65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)180 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.160 V
непрерывный коллекторный ток300 mA
pd - power dissipation200mW
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typeNPN
упаковка / блокSC-70-3
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль