PMBTA56,215

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 500MA 80V
Вес и габариты
base product numberPMBTA56 ->
collector-emitter breakdown voltage80V
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
10
+
Бонус: 0.2 !
Бонусная программа
Итого: 10
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 500MA 80V
Вес и габариты
base product numberPMBTA56 ->
collector-emitter breakdown voltage80V
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 100mA, 1V
длина3 mm
другие названия товара №PMBTA56 T/R
eccnEAR99
frequency - transition50MHz
Высота 1 мм
htsus8541.21.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
maximum dc collector current500mA
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageTO-236AB
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 10mA, 100mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль