PMBTA45,215, Биполярный транзистор, NPN, 500 В, 0.15 А, 0.25Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PMBTA45,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PMBTA45,215, Биполярный транзистор, NPN ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
23
+
Бонус: 0.46 !
Бонусная программа
Итого: 23
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 500 В, 0.15 А, 0.25Вт
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
КорпусSOT-23(TO-236AB)
base product numberPMBTA45 ->
collector-emitter breakdown voltage500V
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)150mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce50 @ 50mA, 10V
длина3 mm
eccnEAR99
frequency - transition35MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.100
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.5 A
maximum collector base voltage500 V
maximum collector emitter voltage500 V
maximum dc collector current150mA
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation300 mW
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain50
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)500 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.500 V
непрерывный коллекторный ток0.15 A
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8001916397
pd - power dissipation300mW
pd - рассеивание мощности300 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max300mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)35 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-236AB
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic90mV @ 6mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)500V
Время загрузки14:30:22
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль