Name: PMBTA42
Brand: NXP Semiconductor

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP PMBTA42

Подробное описание

Бренд: NXP Semiconductor

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.041
Высота	1 mm
Информация о производителе
Производитель	NXP Semiconductor

Все характеристики

90 ₽

– +

Бонус: 1.8 !

Бонусная программа

Итого: 90 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR, BJT, NPN, 300V, 0.1A, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):500mV; Current Ic @ Vce Sat:20A; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:10mA; Gain Bandwidth ft Typ:50MHz; Hfe Min:40; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Peak Current Icm:0.2A; Power Dissipation Ptot Max:250mW; SMD Marking:1D; Termination Type:Surface Mount Device

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.041
Высота	1 mm
Информация о производителе
Производитель	NXP Semiconductor
Бренд	NXP Semiconductor
Основные
collector- base voltage vcbo	300 V
collector-emitter breakdown voltage	300V
collector- emitter voltage vceo max	300 V
configuration	Single
dc collector/base gain hfe min	25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 40 at 30 mA at 10 V
длина	3 mm
другие названия товара №	9,33776E+11
emitter- base voltage vebo	6 V
factory pack quantity	10000
gain bandwidth product ft	50 MHz(Min)
height	1 mm(Max)
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25
кол-во в упаковке	3000
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
length	3 mm(Max)
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
manufacturer	Nexperia
maximum collector emitter voltage	300 V
maximum dc collector current	0.1 A
maximum operating temperature	+150 C
минимальная рабочая температура	65 C
minimum dc current gain	25
minimum operating temperature	-65 C
mounting style	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	300 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	300 V
непрерывный коллекторный ток	100 mA
number of elements per chip	1
package / case	SOT-23-3
package type	SOT-23
packaging	Reel
партномер	8002974485
part # aliases	/T3 PMBTA42
pd - power dissipation	250 mW
pd - рассеивание мощности	250 mW
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
product category	Bipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	50 MHz
размер фабричной упаковки	3000
rohs	Details
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Nexperia
transistor polarity	NPN
transistor type	NPN
упаковка / блок	SOT-23-3
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	1:22:09
Ширина	1.4 мм
width	1.4 mm(Max)

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

NXP Semiconductor Транзисторы биполярные (BJTs)PMBTA42