PMBTA42,215, Bipolar Transistors - BJT PMBTA42/SOT23/TO-236AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PMBTA42,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PMBTA42,215, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
64
+
Бонус: 1.28 !
Бонусная программа
Итого: 64
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN HV 100MA 300V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- base voltage vcbo300 V
collector-emitter breakdown voltage300V
collector- emitter voltage vceo max300 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 40 at 30 mA at 10 V
длина3 mm
другие названия товара №9,33776E+11
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity10000
gain bandwidth product ft50 MHz(Min)
height1 mm(Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
length3 mm(Max)
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
manufacturerNexperia
maximum collector emitter voltage300 V
maximum dc collector current100mA
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain25
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)300 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.300 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package typeSOT-23
packagingReel
партномер8006236679
part # aliases/T3 PMBTA42
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности250 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)50 MHz
размер фабричной упаковки3000
rohsDetails
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки15:10:00
Ширина1.4 мм
width1.4 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль