Name: PMBTA06
Brand: NXP Semiconductor

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP PMBTA06

Подробное описание

Бренд: NXP Semiconductor

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.05
Высота	1 mm
Высота	1 мм
Информация о производителе

Все характеристики

90 ₽

– +

Бонус: 1.8 !

Бонусная программа

Итого: 90 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):250mV; Current Ic @ Vce Sat:100mA; Current Ic Continuous a Max:500mA; Current Ic hFE:10mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:100; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Peak Current Icm:1A; Power Dissipation Ptot Max:250mW; SMD Marking:1G; Termination Type:Surface Mount Device

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.05
Высота	1 mm
Высота	1 мм
Информация о производителе
Производитель	NXP Semiconductor
Бренд	NXP Semiconductor
Основные
collector-emitter breakdown voltage	80V
current - collector cutoff (max)	50nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)	500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	100 @ 100mA, 1V
длина	3 mm
другие названия товара №	PMBTA06 T/R
family	Transistors-Bipolar(BJT)-Single
frequency - transition	100MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
manufacturer	NXP Semiconductors
maximum dc collector current	500mA
минимальная рабочая температура	65 C
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	4 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
operating temperature	150°C(TJ)
package / case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
packaging	Digi-Reel®
партномер	8002974484
part status	Active
pd - power dissipation	250mW
pd - рассеивание мощности	250 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power - max	250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	100 MHz
размер фабричной упаковки	3000
series	-
standard package	1
supplier device package	TO-236AB
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Nexperia
transistor type	NPN
упаковка / блок	SOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic	250mV @ 10mA, 100mA
вид монтажа	SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)	80V
Время загрузки	1:22:09
Ширина	1.4 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

NXP Semiconductor Транзисторы биполярные (BJTs)PMBTA06