PMBT4403,215

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Малосигнальные транзисторы PNP, Nexperia
Nexperia
Основные
ПроизводительNexperia
Вес и габариты
base product numberPMBT4403 ->
число контактов3
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Малосигнальные транзисторы PNP, Nexperia
Основные
ПроизводительNexperia
Вес и габариты
base product numberPMBT4403 ->
число контактов3
collector-emitter breakdown voltage40V
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)600mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 2V
длина3мм
другие названия товара №PMBT4403 T/R
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
Высота 1 мм
htsus8541.21.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество элементов на ис1
конфигурацияSingle
максимальная рабочая частота200 МГц
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение эмиттер-база5 В
максимальное напряжение коллектор-база40 V
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)40 V
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер1,3 V
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.75 V
максимальное рассеяние мощности250 мВт
максимальный постоянный ток коллектора0.6 A
максимальный пост. ток коллектора600 mA
maximum dc collector current600mA
минимальная рабочая температура-65 °C
минимальный коэффициент усиления по постоянному току20
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)200 MHz
размеры1 x 3 x 1.4мм
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-236AB
тип корпусаSOT-23 (TO-236AB)
тип монтажаПоверхностный монтаж
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
тип транзистораPNP
торговая маркаNexperia
transistor configurationОдинарный
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic750mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль