PMBT3906M,315
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
| Вес и габариты | |
| collector- base voltage vcbo: | 40 V |
| collector-emitter breakdown voltage | 40V |
| collector-emitter saturation voltage: | 165 mV |
| collector- emitter voltage vceo max: | 40 V |
| configuration: | Single |
| continuous collector current: | -200 mA |
| dc collector/base gain hfe min: | 180 |
| dc current gain hfe max: | 60 at 100 uA, 1 V |
| emitter- base voltage vebo: | 6 V |
| factory pack quantity: factory pack quantity: | 10000 |
| gain bandwidth product ft: | 250 MHz |
| manufacturer: | Nexperia |
| maximum dc collector current | 200mA |
| maximum dc collector current: | 200 mA |
| maximum operating temperature: | +150 C |
| minimum operating temperature: | -55 C |
| mounting style: | SMD/SMT |
| package/case: | DFN1006-3 |
| packaging: | Reel, Cut Tape, MouseReel |
| part # aliases: | 934063476315 |
| pd - power dissipation | 590mW |
| pd - power dissipation: | 590 mW |
| product category: | Bipolar Transistors-BJT |
| product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| qualification: | AEC-Q101 |
| subcategory: | Transistors |
| technology: | Si |
| transistor polarity: | PNP |
| transistor type | PNP |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26 - Нажмите для заказа
