PMBT3906M,315, Package/Enclosure SOT883

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PMBT3906M,315
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PMBT3906M,315, Package/Enclosure SOT883
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
6
+
Бонус: 0.12 !
Бонусная программа
Итого: 6
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки21.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter breakdown voltage40V
collector-emitter saturation voltage:165 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
continuous collector current:-200 mA
dc collector/base gain hfe min:180
dc current gain hfe max:60 at 100 uA, 1 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:250 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Nexperia
maximum dc collector current200mA
maximum dc collector current:200 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:DFN1006-3
партномер8003791182
part # aliases:9,34063E+11
pd - power dissipation590mW
pd - power dissipation:590 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
Время загрузки14:22:14
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль