PMBT2222A,215, 30V 250mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT23 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PMBT2222A,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PMBT2222A,215, 30V 250mW 100@150mA,10V 600mA ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
4
+
Бонус: 0.08 !
Бонусная программа
Итого: 4
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN SW 600MA 40V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
частота перехода ft300МГц
collector- base voltage vcbo75 V
collector-emitter breakdown voltage40V
collector- emitter voltage vceo max40 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min30
dc current gain hfe max300
dc усиление тока hfe40hFE
длина3 mm
другие названия товара №PMBT2222A T/R
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft300 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
length3 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора800 mA
manufacturerNexperia
maximum dc collector current600mA
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)75 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
непрерывный коллекторный ток600 mA
package / caseTO-236AB-3
packagingReel
партномер8003786659
part # aliasesPMBT2222A T/R
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation250мВт
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
rohsDetails
стиль корпуса транзистораSOT-23
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки14:22:25
Ширина1.4 мм
width1.4 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль