PHPT610035NK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP PHPT610035NK
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
350
+
Бонус: 7 !
Бонусная программа
Итого: 350
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANS, DUAL NPN, 100V, SOT1205; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:SOT-1205; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
base product numberPHPT610035 ->
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:225 mV
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configurationDual
configuration:Dual
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 1A, 10V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1500
frequency - transition140MHz
gain bandwidth product ft:140 MHz
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Nexperia
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+175 C
maximum power dissipation - (mw)25000
militaryNo
minimum dc current gain80@1A@2VI150@500mA@10VI80@1A@10VI20@2A@10VI10@3A@10V
minimum operating temperature:-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip2
operating temperature175В°C (TJ)
operating temperature - (??c)-55~175
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-1205, 8-LFPAK56
package / case:LFPAK56D-8
packagingTape and Reel
партномер8002977074
part # aliases:9,34068E+11
pd - power dissipation:25 W
pin count8
power - max1.25W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
subcategory:Transistors
supplier device packageLFPAK56D
supplier packageLFPAK-D
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor type2 NPN (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic330mV @ 300mA, 3A
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Время загрузки1:22:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль