PHPT610030NKX

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysБиполярный (BJT) транзисторный массив 2 NPN (двойной) 100 В, 3 А, 140 МГц, 1,25 Вт, поверхностный монтаж LFPAK56D
Вес и габариты
base product numberPHPT610030 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)3A
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - ArraysБиполярный (BJT) транзисторный массив 2 NPN (двойной) 100 В, 3 А, 140 МГц, 1,25 Вт, поверхностный монтаж LFPAK56D
Вес и габариты
base product numberPHPT610030 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 1A, 10V
eccnEAR99
frequency - transition140MHz
htsus8541.29.0095
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature175В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-1205, 8-LFPAK56
power - max1.25W
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageLFPAK56D
transistor type2 NPN (Dual)
vce saturation (max) @ ib, ic330mV @ 300mA, 3A
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль