PHPT60603NYX, Bipolar Transistors - BJT PHPT60603NY/SOT669/LFPAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PHPT60603NYX
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PHPT60603NYX, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0662
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN High Power BipolarTransistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0662
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPHPT60603 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 2A, 2V
другие названия товара №9,34068E+11
eccnEAR99
frequency - transition140MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.400
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 175 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
maximum collector base voltage60 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current3 A
maximum emitter base voltage7 V
maximum operating frequency140 MHz
maximum operating temperature+175 °C
maximum power dissipation25 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain200
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер70 mV
непрерывный коллекторный ток3 A
number of elements per chip1
operating temperature175В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-100, SOT-669
package typeLFPAK56, SOT669
партномер8005277954
pd - рассеивание мощности25 W
pin count4+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1.25W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)140 MHz
размер фабричной упаковки1500
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageLFPAK56, Power-SO8
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокLFPAK56-5
vce saturation (max) @ ib, ic270mV @ 300mA, 3A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки1:08:14
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль