PHPT60415NYX, Bipolar Transistors - BJT PHPT60415NY/SOT669/LFPAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PHPT60415NYX
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PHPT60415NYX, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0745
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 15A NPN High Power Bipolar Transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0745
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
automotiveYes
configurationSingle Triple Emitter
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.410 at 500 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250 at 500 mA, 2 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
максимальный постоянный ток коллектора30 A
maximum base emitter saturation voltage (v)1@50mA@1A|1.35@1A@10A|1.5@1.5A|15A
maximum collector base voltage40 V
maximum collector base voltage (v)40
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.04@50mA@1A|0.4@1A@10A|0.6@1.5A@15A
maximum collector emitter voltage40 V
maximum collector-emitter voltage (v)40
maximum dc collector current15 A
maximum dc collector current (a)15
maximum emitter base voltage7 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency105 MHz
maximum operating temperature+175 °C
maximum operating temperature (°c)175
maximum power dissipation25 W
maximum power dissipation (mw)25000
maximum transition frequency (mhz)105(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain250
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер420 mV
непрерывный коллекторный ток15 A
number of elements per chip1
package typeLFPAK56, SOT669
packagingTape and Reel
партномер8005277952
part statusActive
pcb changed4
pd - рассеивание мощности25 W
pin count4+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
ppapUnknown
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)105 MHz
размер фабричной упаковки1500
supplier packageLFPAK
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокPowerSO-8
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:08:21
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль