PHE13009

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP PHE13009
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
460
+
Бонус: 9.2 !
Бонусная программа
Итого: 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTrans GP BJT NPN 400V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г2
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
collector- base voltage vcbo700 V
collector- emitter voltage vceo max400 V
configurationSingle
continuous collector current12 A
dc collector/base gain hfe min8
dc current gain hfe max8
factory pack quantity1000
height9.4 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length10.3 mm
manufacturerWeEn Semiconductors
maximum dc collector current12 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleThrough Hole
package / caseTO-220-3
packagingTube
партномер8002986121
part # aliasesPHE13009
pd - power dissipation80 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
transistor polarityNPN
Время загрузки1:22:18
width4.7 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль