PHE13009/DG,127, Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PHE13009/DG,127
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) WeEn PHE13009/DG,127, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, гянв.95
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
PHE13009 является высоковольтным, высокоскоростным, кремниевым NPN силовым транзистором 400В для использования в электронных ВЧ балластах освещения, преобразователях, инверторах, импульсных стабилизаторах и системах управления двигателем. • Температура перехода 150°C• Возможность работы с высокими напряжениями• Низкое тепловое сопротивление• Низкие потери проводимости из-за низкого сопротивления в рабочем состоянии
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, гянв.95
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
Основные
collector emitter voltage max400В
continuous collector current12А
dc current gain hfe min40hFE
dc усиление тока hfe40hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150°C
монтаж транзистораThrough Hole
партномер8009090093
полярность транзистораNPN
power dissipation80Вт
стиль корпуса транзистораTO-220AB
Время загрузки23:11:23
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль