PHE13007,127

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) WeEn PHE13007,127
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г03.05.2024
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 400V 8A 80W Through Hole TO-220AB
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г03.05.2024
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
Основные
base product numberPHE13007 ->
current - collector cutoff (max)200ВµA
current - collector (ic) (max)8A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce8 @ 2A, 5V
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
партномер8005874248
power - max80W
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageTO-220AB
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic350mV @ 1A, 5A
voltage - collector emitter breakdown (max)400V
Время загрузки23:11:23
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль