PHE13003C,126, Bipolar Transistors - BJT Single NPN 1.5A 2.1W

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PHE13003C,126
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) WeEn PHE13003C,126, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор NPN 400V 1.5A 2.1W Through Hole TO-92-3
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
Основные
current - collector cutoff (max)100ВµA
current - collector (ic) (max)1.5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce5 @ 1A, 2V
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageCut Tape (CT)Tape & Box (TB)
package / caseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
партномер8005277941
power - max2.1W
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageTO-92-3
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 500mA, 1.5A
voltage - collector emitter breakdown (max)400V
Время загрузки23:11:44
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль