PHE13003A,412, Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR DIFF 700V 1A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PHE13003A,412
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) WeEn PHE13003A,412, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.217
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.217
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
Основные
collector- base voltage vcbo:700 V
collector-emitter saturation voltage:400 mV
collector- emitter voltage vceo max:400 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:5
dc current gain hfe max:30
emitter- base voltage vebo:9 V
factory pack quantity: factory pack quantity:5000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:WeEn Semiconductors
maximum dc collector current:1:00 AM
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-92-3
партномер8005511365
part # aliases:9,34E+11
pd - power dissipation:2.1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки23:11:44
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль