Name: PHD13005,127
Brand: WEEN SEMICONDUCTORS

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) WeEn PHD13005,127

Подробное описание

190 ₽

– +

Бонус: 3.8 !

Бонусная программа

Итого: 190 ₽

Купить

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 400V 4A 75W Through Hole TO-220AB

Дата загрузки	12.02.2024
Вес и габариты
вес, г	янв.95
Информация о производителе
Производитель	WEEN SEMICONDUCTORS
Бренд	WEEN SEMICONDUCTORS
Основные
collector emitter voltage max	400В
continuous collector current	4А
current - collector cutoff (max)	100ВµA
current - collector (ic) (max)	4A
dc current gain hfe min	20hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	10 @ 2A, 5V
dc усиление тока hfe	20hFE
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов	3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура	150°C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
монтаж транзистора	Through Hole
mounting type	Through Hole
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
партномер	8006638529
полярность транзистора	NPN
power dissipation	75Вт
power - max	75W
rohs status	RoHS Compliant
стиль корпуса транзистора	TO-220AB
supplier device package	TO-220AB
transistor type	NPN
vce saturation (max) @ ib, ic	1V @ 1A, 4A
voltage - collector emitter breakdown (max)	400V
Время загрузки	23:11:50

Отзывов нет

Кнопки

Теги: