PHD13005,127, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 4 А, 75 Вт, TO-220AB, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PHD13005,127
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) WeEn PHD13005,127, Биполярный транзистор, NPN ...
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, гянв.95
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTThe PHD13005 is a NPN planar passivated Power Switching Transistor with integrated anti-parallel emitter-collector diode in a plastic single-ended package. • High speed• Fast switching• High voltage capability• Low thermal resistance
Дата загрузки12.02.2024
Вес и габариты
вес, гянв.95
Информация о производителе
ПроизводительWEEN SEMICONDUCTORS
БрендWEEN SEMICONDUCTORS
Основные
collector emitter voltage max400В
continuous collector current
current - collector cutoff (max)100ВµA
current - collector (ic) (max)4A
dc current gain hfe min20hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce10 @ 2A, 5V
dc усиление тока hfe20hFE
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150°C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораThrough Hole
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
партномер8000714739
полярность транзистораNPN
power dissipation75Вт
power - max75W
rohs statusRoHS Compliant
стиль корпуса транзистораTO-220AB
supplier device packageTO-220AB
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic1V @ 1A, 4A
voltage - collector emitter breakdown (max)400V
Время загрузки23:11:47
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль