Биполярный (BJT) транзистор NPN 400V 4A 75W Through Hole TO-220AB
Дата загрузки
12.02.2024
Вес и габариты
вес, г
янв.95
Информация о производителе
Производитель
WEEN SEMICONDUCTORS
Бренд
WEEN SEMICONDUCTORS
Основные
collector emitter voltage max
400В
continuous collector current
4А
current - collector cutoff (max)
100ВµA
current - collector (ic) (max)
4A
dc current gain hfe min
20hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
10 @ 2A, 5V
dc усиление тока hfe
20hFE
eccn
EAR99
htsus
8541.29.0095
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов
3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура
150°C
moisture sensitivity level (msl)
1 (Unlimited)
монтаж транзистора
Through Hole
mounting type
Through Hole
operating temperature
150В°C (TJ)
package
Tube
package / case
TO-220-3
партномер
8005277938
полярность транзистора
NPN
power dissipation
75Вт
power - max
75W
rohs status
RoHS Compliant
стиль корпуса транзистора
TO-220AB
supplier device package
TO-220AB
transistor type
NPN
vce saturation (max) @ ib, ic
1V @ 1A, 4A
voltage - collector emitter breakdown (max)
400V
Время загрузки
23:11:48
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26