PDTD123ET,215, 40@50mA,5V 250mW 500mA 50V 100nA 1 NPN Pre Biased SOT23 Digital Transistors ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PDTD123ET,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PDTD123ET,215, 40@50mA,5V 250mW 500mA 50V ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
14
+
Бонус: 0.28 !
Бонусная программа
Итого: 14
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-BiasedЦифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min40
emitter- base voltage vebo10 V
factory pack quantity3000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerNexperia
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
packagingCut Tape or Reel
партномер8009604679
part # aliasesPDTD123ET T/R
pd - power dissipation250 mW
peak dc collector current500 mA
product categoryBipolar Transistors-Pre-Biased
product typeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
qualificationAEC-Q101
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
typical input resistor2.2 kOhms
typical resistor ratio1
Время загрузки14:26:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль