PDTD113ZT,215, Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PDTD113ZT,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PDTD113ZT,215, Trans Digital BJT NPN 50V ...
Nexperia
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia
8
+
Бонус: 0.16 !
Бонусная программа
Итого: 8
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJT Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPDTD113 ->
число контактов3
collector-emitter breakdown voltage50V
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 50mA, 5V
длина3мм
другие названия товара №PDTD113ZT T/R
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
количество элементов на ис1
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение эмиттер-база5 В
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)50 V
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
максимальный непрерывный ток коллектора500 мА
maximum dc collector current500mA
минимальная рабочая температура-65 °C
минимальный коэффициент усиления по постоянному току70
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток500 mA
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
партномер8003197850
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности250 mW
пиковый постоянный ток коллектора500 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max250mW
размеры3 x 1.4 x 1мм
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)1 kOhms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-236AB
типичное входное сопротивление1 kOhms
типичный коэффициент деления резистора10
типичный коэффициент резистора0.1
типичный входной резистор1000 Ом
тип корпусаSOT-23 (TO-236AB)
тип монтажаПоверхностный монтаж
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
тип транзистораNPN
торговая маркаNexperia
transistor configurationОдинарный
transistor typeNPN - Pre-Biased
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 2.5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки14:26:54
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль