Name: PDTC123JT.215, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 250мВт, SOT23,TO236AB
Brand: Nexperia B.V.
SKU: PDTC123JT,215

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PDTC123JT.215, Транзистор NPN, биполярный ...

Подробное описание

21 ₽

– +

Бонус: 0.42 !

Бонусная программа

Итого: 21 ₽

Купить

Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 мВт для поверхностного монтажа TO-236AB

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.02
Информация о производителе
Производитель	Nexperia B.V.
Бренд	Nexperia B.V.
Основные
base product number	PDTC123 ->
collector-emitter breakdown voltage	50V
current - collector cutoff (max)	1ВµA
current - collector (ic) (max)	100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	100 @ 10mA, 5V
eccn	EAR99
htsus	8541.21.0095
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
maximum collector emitter voltage	50 V
maximum dc collector current	100mA
maximum emitter base voltage	10 V
maximum operating temperature	+150 °C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	1
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package type	SOT-23(TO-236AB)
партномер	8002677094
pd - power dissipation	250mW
pin count	3
power - max	250mW
reach status	REACH Unaffected
resistor - base (r1)	2.2 kOhms
resistor - emitter base (r2)	47 kOhms
rohs status	ROHS3 Compliant
supplier device package	TO-236AB
transistor configuration	Single
transistor type	NPN - Pre-Biased
typical input resistor	2.2 kΩ
typical resistor ratio	0.047
vce saturation (max) @ ib, ic	100mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)	50V
Время загрузки	14:26:33

Отзывов нет

Кнопки

Теги: