PDTC123JT,215, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PDTC123JT,215
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJTБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 мВт для поверхностного монтажа TO-236AB
Вес и габариты
base product numberPDTC123 ->
collector-emitter breakdown voltage50V
current - collector cutoff (max)1ВµA
3
+
Бонус: 0.06 !
Бонусная программа
Итого: 3
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJTБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 250 мВт для поверхностного монтажа TO-236AB
Вес и габариты
base product numberPDTC123 ->
collector-emitter breakdown voltage50V
current - collector cutoff (max)1ВµA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 10mA, 5V
eccnEAR99
htsus8541.21.0095
maximum dc collector current100mA
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - power dissipation250mW
power - max250mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)2.2 kOhms
resistor - emitter base (r2)47 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-236AB
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic100mV @ 250ВµA, 5mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль