Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.2 |
Высота | 1 mm |
Высота | 1 мм |
Информация о производителе | |
Производитель | NXP Semiconductor |
Бренд | NXP Semiconductor |
Основные | |
base product number | PDTB123 -> |
collector-emitter breakdown voltage | 50V |
collector- emitter voltage vceo max | -50 V |
configuration | Single |
continuous collector current | 500 mA |
current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
current - collector (ic) (max) | 500mA |
dc collector/base gain hfe min | 70 |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 70 @ 50mA, 5V |
длина | 3 mm |
другие названия товара № | 9,34059E+11 |
eccn | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | -5 V |
factory pack quantity | 3000 |
height | 1 mm |
htsus | 8541.21.0095 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
конфигурация | Single |
квалификация | AEC-Q101 |
length | 3 mm |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
manufacturer | Nexperia |
maximum collector emitter voltage | -50 V |
maximum dc collector current | 500mA |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum power dissipation | 250 mW |
минимальная рабочая температура | 65 C |
minimum operating temperature | -65 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
number of elements per chip | 1 |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | TO-236-3 |
package type | SOT-23 |
packaging | Reel |
партномер | 8007299640 |
part # aliases | PDTB123YT T/R |
pd - power dissipation | 250 mW |
pd - рассеивание мощности | 250 mW |
peak dc collector current | 500 mA |
пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | PNP |
power - max | 250mW |
product category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
размер фабричной упаковки | 3000 |
reach status | REACH Unaffected |
resistor - base (r1) | 2.2 kOhms |
resistor - emitter base (r2) | 10 kOhms |
rohs | Details |
rohs status | ROHS3 Compliant |
supplier device package | TO-236AB |
типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
типичный коэффициент деления резистора | 0.219 |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
торговая марка | Nexperia |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | PNP |
transistor type | PNP - Pre-Biased |
typical input resistor | 2.2 kOhms |
typical resistor ratio | 0.219 |
упаковка / блок | SOT-23-3 |
vce saturation (max) @ ib, ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 50V |
Время загрузки | 1:22:20 |
Ширина | 1.4 мм |
width | 1.4 mm |