PDTB123YT.215, Транзистор: PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PDTB123YT,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PDTB123YT.215, Транзистор: PNP
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
19
+
Бонус: 0.38 !
Бонусная программа
Итого: 19
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS RET TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPDTB123 ->
collector-emitter breakdown voltage50V
collector- emitter voltage vceo max-50 V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)500mA
dc collector/base gain hfe min70
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 50mA, 5V
длина3 mm
другие названия товара №9,34059E+11
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity3000
height1 mm
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
length3 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturerNEXPERIA
maximum collector emitter voltage-50 V
maximum dc collector current500mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation250 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток500 mA
number of elements per chip1
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
packagingReel
партномер8012557444
part # aliasesPDTB123YT T/R
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности250 mW
peak dc collector current500 mA
пиковый постоянный ток коллектора500 mA
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max250mW
product categoryBipolar Transistors-Pre-Biased
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)2.2 kOhms
resistor - emitter base (r2)10 kOhms
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-236AB
типичное входное сопротивление2.2 kOhms
типичный коэффициент деления резистора0.219
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP - Pre-Biased
typical input resistor2.2 kOhms
typical resistor ratio0.219
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 2.5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки14:25:50
Ширина1.4 мм
width1.4 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль