PBSS8110X,135, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS8110X,135
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS8110X,135, Биполярный транзистор, NPN ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г8
Высота1.6мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
17
+
Бонус: 0.34 !
Бонусная программа
Итого: 17
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г8
Высота1.6мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
КорпусSOT-89-3
base product numberPBSS8110 ->
частота перехода ft100МГц
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce150 @ 250mA, 10V
dc усиление тока hfe150hFE
dimensions4.6 x 2.6 x 1.6mm
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
length4.6мм
максимальная рабочая температура150 C
maximum base emitter saturation voltage1.05 V
maximum collector base voltage120 V
maximum collector emitter saturation voltage200 mV
maximum collector emitter voltage100 V
maximum dc collector current1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2 Вт
minimum dc current gain80
minimum operating temperature-65 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeПоверхностный монтаж
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeSOT-89
партномер8009975932
pin count3
полярность транзистораNPN
power dissipation2Вт
power - max2W
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
стиль корпуса транзистораSOT-89
supplier device packageSOT-89
transistor configurationОдинарный
transistor typeNPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic200mV @ 100mA, 1A
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Время загрузки14:30:32
width2.6мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль