PBSS8110X,135, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А, 2 Вт, SOT-89, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS8110X,135
NPN-транзисторы с низким напряжением насыщения Линейка NXP-BISS (прорыв в слабых сигналах) NPN-биполярных переходных транзисторов с низким напряжением насыщения. Эти устройства отличаются очень низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер и высокой емкостью коллектора по току в компактных компактных корпусах. Уменьшение потерь этих транзисторов приводит к меньшему тепловыделению и общему повышению эффективности при использовании в коммутационных и цифровых приложениях.
Вес и габариты
base product numberPBSS8110 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
69
+
Бонус: 1.38 !
Бонусная программа
Итого: 69
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
NPN-транзисторы с низким напряжением насыщения Линейка NXP-BISS (прорыв в слабых сигналах) NPN-биполярных переходных транзисторов с низким напряжением насыщения. Эти устройства отличаются очень низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер и высокой емкостью коллектора по току в компактных компактных корпусах. Уменьшение потерь этих транзисторов приводит к меньшему тепловыделению и общему повышению эффективности при использовании в коммутационных и цифровых приложениях.
Вес и габариты
base product numberPBSS8110 ->
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce150 @ 250mA, 10V
dimensions4.6 x 2.6 x 1.6mm
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
Высота 1.6 мм
htsus8541.29.0075
length4.6мм
maximum base emitter saturation voltage1.05 V
maximum collector base voltage120 V
maximum collector emitter saturation voltage200 mV
maximum collector emitter voltage100 V
maximum dc collector current1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2 Вт
minimum dc current gain80
minimum operating temperature-65 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeПоверхностный монтаж
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeSOT-89
pin count3
power - max2W
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-89
transistor configurationОдинарный
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic200mV @ 100mA, 1A
вес, г0.104
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
width2.6мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль