PBSS8110X,135, Bipolar Transistors - BJT PBSS8110X/SOT89/MPT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS8110X,135
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS8110X,135, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
NPN-транзисторы с низким напряжением насыщения Линейка NXP-BISS (прорыв в слабых сигналах) NPN-биполярных переходных транзисторов с низким напряжением насыщения. Эти устройства отличаются очень низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер и высокой емкостью коллектора по току в компактных компактных корпусах. Уменьшение потерь этих транзисторов приводит к меньшему тепловыделению и общему повышению эффективности при использовании в коммутационных и цифровых приложениях.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6мм
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberPBSS8110 ->
частота перехода ft100МГц
collector emitter voltage max100В
continuous collector current
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain hfe min150hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce150 @ 250mA, 10V
dc усиление тока hfe150hFE
dimensions4.6 x 2.6 x 1.6mm
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
length4.6мм
максимальная рабочая температура150 C
maximum base emitter saturation voltage1.05 V
maximum collector base voltage120 V
maximum collector emitter saturation voltage200 mV
maximum collector emitter voltage100 V
maximum dc collector current1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2 Вт
minimum dc current gain80
minimum operating temperature-65 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeПоверхностный монтаж
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeSOT-89
партномер8005277202
pin count3
полярность транзистораNPN
power dissipation2Вт
power - max2W
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
стиль корпуса транзистораSOT-89
supplier device packageSOT-89
transistor configurationОдинарный
transistor typeNPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic200mV @ 100mA, 1A
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Время загрузки22:58:13
width2.6мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль