PBSS5330X,115, 30V 1.6W 175@1A,2V 3A PNP SOT893 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: PBSS5330X,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia PBSS5330X,115, 30V 1.6W 175@1A,2V 3A PNP ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.158
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
38
+
Бонус: 0.76 !
Бонусная программа
Итого: 38
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTA range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.158
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
collector-emitter breakdown voltage30V
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage30 V
maximum collector emitter voltage-30 V
maximum dc collector current3A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation1.6 W
minimum dc current gain200
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package typeUPAK
партномер8003786296
pd - power dissipation1.6W
pin count4
transistor configurationSingle
transistor typePNP
Время загрузки15:12:23
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль